Научници су успели да створе транзистор са уграђеном ФеРАМ меморијом

Случајно се догодило да су обрада и складиштење података задаци за потпуно различите уређаје. А интеграција рачунских ћелија у меморијске ћелије прилика је не само за додатно повећање густине распоред елемената на кристалу, али и створити уређај који у својој суштини подсећа на човека мозак.

Такав развој догађаја има све шансе да да огроман подстицај развоју вештачке интелигенције.

Према америчким истраживачима из научног центра Нанотехнолошки центар Бирду Дисцовери Парк Бирцк Универзитет Пурдуе, да би се максимално компактовала структура гејт ћелије (1Т1Ц), неопходно је користити фероелектричну (фероелектричну) меморијску ћелију у комбинацији са транзистором.

Такође је за густину сасвим могуће изградити магнеторесистивни тунелски спој директно у контактну групу непосредно испод транзистора.

Резултати научних радова научници су објавили у часопису Натуре Елецтроницс, где су детаљно описали сва своја научна истраживања, услед чега су од фероелектрика успели да створе транзистор са уграђеним тунелским спојем.

Током свог рада успели су да реше један веома важан проблем. На крају крајева, фероелектричари се сматрају диелектрицима са изузетно широким пропусним опсегом, који блокира пролазак електрона. А у полупроводницима, на пример, у силицијуму, електрони неометано пролазе.

Поред тога, фероелектричари су обдарени још једним својством, које ни на који начин не омогућава стварање меморијских ћелија на једном силицијумском кристалу заједно са транзисторима.

Наиме: силицијум је некомпатибилан са фероелектриком, будући да их је сликовито речено „урезан“.

Да би неутралисали ове негативне аспекте, научници су покушали да пронађу полупроводник са фероелектричним својствима и успели су.

Испоставило се да је овај материјал селенид-алфа индијум. На крају крајева, он има прилично мали пропусни опсег и способан је да преноси проток електрона. А пошто је ово полупроводнички материјал, једноставно нема препрека за његову комбинацију са силицијумом.

Бројне студије, лабораторијски тестови и сложене симулације показале су то, с правом оптимизације, створени транзистор са уграђеном меморијом може значајно надмашити постојећи ефекат поља транзистори.

Истовремено, дебљина споја тунела сада износи само 10 нм, али према представницима научне групе овај параметар се може свести на дебљину само једног атома.

Овај супер густи распоред приближава читаво човечанство корак ближе спровођењу амбициозног пројекта попут вештачке интелигенције.

Желео бих да нагласим да већина финансирања долази из субвенција Пентагона, што наводи на неке мисли.

Свидео ми се материјал, а затим палац и лајк од вас! Такође напишите у коментарима, можда амерички научници развијају својеврсни аналог Скинета?